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0龙玺精密-二手半导体设备买卖翻新~ KLA SURFSCAN SFS6220颗粒检测仪 DISCO DFG850研磨机 ACCRETECH UF3000EX探针台 DISCO DAD3240划片机 ACCRETECH UF200探针台 OXFORD PLASMAPRO 100ICP蚀刻系统 LAM TCP9600SE等离子体刻蚀机 DISCO DAG810研磨机 TEL MARK7涂胶显影机 DISCO DAD3350晶圆切割机 KLA Candela 8420表面缺陷检测系统 DISCO DFG8540研磨机 AMAT Endura 5500 MOCVD气相沉积 TEL ALPHA 8S扩散炉 DISCO DFG850研磨机 KLA Surfscan SP2晶圆检测系统 TEL MARK8涂胶显影机 DISCO DFD6350切割机 DISCO DFG 8560研磨机 DISCO DFG840研磨
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2求一份扩散炉的售后或者售前调试工作,两年工作经验!
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0高温风速传感器 高温风速变送器欢迎咨询嘉诺德仪表(天津)有限公司,其区分分体式或一体式结构,有普通常温型,也有高温型,可带显示或无显示,可输出三线制4-20MA信号远传到中控室。 高低报警值设定,应用于管道的风速测量或也叫流速测量。 风速范围0 ~1m/s~40m/s可选择 探杆插入长度可定制:比如100,200,300,400,500,,600,700,.....mm, 显示的:数字LED显示 安装方式可选螺纹或法兰 壳体及探杆材质区分金属或非金属两种视情择选 可非标定制 风速传感器
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1气源柜分为五层。顶部设置有排毒口, 用以排除在换源 过程中泄漏的有害气体。 柜顶设置有三路工艺气体及一路压缩空气的进气接口, 接口以下安装有减压阀、截止阀, 用以对进气压力进行控制及调节。对应于气路,各层分别装有相应的电磁阀、 气动阀、过滤器、单向阀、质量流量控制器、 及源瓶冷阱等。柜子的底部装有质量流量(MFC)控制器电源、控制开关、保险等电路转接板以及设备总电源进线转接板。 了解更多仪器信息,科研干货,网页
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1炉体加热系统共有六层。顶层配置有水冷散热器及排热风扇,每层加热炉体间也配置一层水冷系统,隔绝每层炉管的温度相互影响,废气室顶部设有抽风口,与外接负压抽风管道连接后, 可将工艺过程残 余的废气带走,中间部分分四层放置四个加热炉体, 每层由四个坡面支架托起并固定住加热炉体,其位置在安装时已经与推拉舟系统——丝杠、导轨副传动系统及SiC悬臂桨系统或软着落系统等对准中心。 更多高质量科研设备文章,到:仪器+,一键获取
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1水平扩散炉进出舟系统有二种方式:1)悬臂桨系统;2)软着陆系统。 悬臂桨系统结构比较简单,SiC桨携带舟和硅片进入石英炉管后,就停留在石英炉管内,直到工艺程序结束,SiC桨就携带舟和硅片慢慢回到原位,悬臂桨系统缺点是桨对炉管温度的均匀性有一定的影响,另外,工艺气体也会对桨沉积,影响颗粒。 软着陆系统较悬臂桨系统更加先进,SiC桨进入石英工艺炉管后,桨自动下沉放下石英舟和硅片,然后慢慢运行回原点,最后石英炉管的门自
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1控制部分包括:温控器、功率部件、超温保护部件、系统控制。 系统控制部分有四个独立的计算机控制单元,分别控制每层炉管的推舟、炉温及气路部分,是扩散/氧化系统的控制中心。 服务科研,助力科技。网页到:木木西里 仪器+,了解更多科研知识
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1扩散炉由控制系统、进出舟系统、炉体加热系统和气体控制系统等组成。 更多高质量科研设备文章,到:仪器+,一键获取(专业仪器设备的知识内容平台 木木西里)
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1扩散炉有垂直扩散炉(vertical)和水平扩散炉(horizontal)两种类型。 垂直扩散炉是石英舟垂直于水平面,更加有利于机械手传送硅片,片内工艺参数一致性更好。 水平扩散炉水平扩散炉是石英舟平行于水平面,一台可以4个或4个以上的工艺炉管,平均炉管占地面积更小,片间的工艺参数较垂直扩散炉更好。 仪器+,仪器难点攻克方案聚集网
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1扩散炉是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一,用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。 构建技术平台,合作科研研发。网页到:仪器+
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5经世界各大光伏行业设备供应商的不断研究,发现低压扩散技术优势非常明显,经过行业内技术研发人员的不懈努力,低压扩散逐渐成为下一代高性能扩散炉的核心技术。 它对156~162mm尺寸的电池片在每批次产能高达1000片/管甚至更高的情况下,其扩散方块电阻均匀性仍优于4%,与常压扩散炉相比片均能耗降低50%以上,化学品消耗降低更是超过50%,也不用额外增加工艺时间,是高品质扩散的首选与环境友好型的生产方式。 低压扩散炉是在常压闭管扩散炉
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5由于离子注入设备购入和维护成本高昂,对成本更为敏感的晶体硅太阳电池制造行业主要使用卧式扩散炉进行p-n结的制作。卧式扩散炉是太阳能电池生产线前道工序的核心工艺设备,主要用途是对硅片进行掺杂,从而改变和控制硅片内杂质的类型、浓度和分布,以便建立起不同的电特性区域。它对p-n结的质量和电池片的效率起着至关重要的作用。卧式扩散炉主要有加热炉体、石英管、气路系统,取送料装置等组成。 2007年开始,国内外先进的晶体硅电
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4光生伏特效应的英文名称是Photovoltaic effect。光生伏特效应是指半导体在受到光照射时产生电动势的现象。 光生伏特效应可被用来制作光电池、光敏二极管、光敏三极管和半导体位置敏感器件传感器,侧向光生伏特效应(即殿巴效应)可被用于制作半导体位置敏感器件(如反转光敏二极管)传感器,p-n结光生伏特效应可被用于制作太阳能电池、光敏二极管和光敏三极管传感器。 太阳能电池发电的原理是基于半导体的光生伏特效应将太阳辐射直接转换为
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4在半导体行业,扩散现象被大规模用于制造p-n结,扩散工艺又被成为掺杂,意即将一种物质掺入另一种物质,从而形成p-n结。 在半导体行业,制作p-n结的主要方法有合金法、扩散法、生长法和离子注入法等。在大规模生产的晶体硅太阳能电池制造工艺中,主要采用扩散法制作电池片的p-n结,将电池片加热到800℃以上,使用氮气携带三氯氧磷(化学分子式POCl3,无色透明发烟液体,分子量约153.33)或三溴化硼扩散掺杂,通常的工艺过程包括进料、升温、
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51) 由于要保证微正压的管内氛围,需要在工艺过程中持续通入10~15 L/min的大氮气,浪费气体。 2) 由于大量的基础氮气通入,导致通入的氧气和三氯氧磷相对含量很低,不能够精确控制反应物的量。 3) 由于尾气管均连入一根排酸管道风压,不同管之间干扰很大,压力波动频繁,导致批次间工艺不稳定。 4) 为了尽量保证不同管的压力参数,引入充气调压方式,使用闭环控制的充气系统充入尾气管,调节速度慢,而且又浪费10~15L/min的氮气,同时成本相应增
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4扩散现象(diffusion)是指物质分子从高浓度区域向低浓度区域转移直到均匀分布的现象,速率与物质的浓度梯度成正比。扩散是由于分子热运动而产生的质量迁移现象,主要是由于密度差引起的。分子热运动目前认为在绝对零度不会发生。扩散现象等大量事实表明,一切物质的分子都在不停地做无规则的运动。举个简单的例子,拿墨水或红糖放入水杯,墨水或红糖就会被水逐渐稀 仪器+,仪器难点攻克方案聚集网 https://yqj.mumuxili.com/?from=tZT.3-25/1-2 释
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2有的请加我qq2174226856,谢谢啊!!!!
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0废话不多说,上图!
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4碳化硅浆,碳化硅悬臂浆
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0亲爱的各位吧友:欢迎来到扩散炉