惠海半导体20-250V系列MOS管 以强性能横扫行业难题，为您的项目注入高效、稳定、持久的动力！ 【宽电压覆盖，一管多用】 20-250V宽耐压范围，适配从低压传感器到高压消费设备的多场景需求，无需频繁更换器件，省心省成本！ 抗冲击能力强，瞬态高压耐受值高达300V，恶劣环境下依然稳如泰山。 【低内阻，高效能】 内阻低至1mΩ（具体型号支持定制），导通损耗降低40%以上，大幅减少发热，提升系统整体效率！ 支持持续大电流，满足电机驱动、电源

电路设计痛点终结者来了！ 无论是高压严苛环境还是低压精密控制，惠海半导体20-250V系列MOS管 以强性能横扫行业难题，为您的项目注入高效、稳定、持久的动力！ 20-250V MOSFET分享清单 一、低压段（20V-30V-40V-60V） 典型规格：3400 30N03 50N03 90N03 120N03 50N04 120N04 15N06 30N06 50N06 70N06 120N06 3401 5P03 5P04 15P04 30P04 50P04 5P06 20P06 50P06 二、中压段（100-200V） 典型规格：5N10 12N10 15N10 25N10 45N10 70N10 5N15 10N15 15N15 5P10 10P10 30P10 50P10 8P15 30P15 三、高压段（200-250V） 典型规格： 5N2

据最新数据显示，2025年全球个人智能音频市场将进一步增长，对比2024年的4.94亿台预计增长8%左右，出货量增长至5.33亿台。这一市场增长，意味着音响电源市场必然会同步增长。如何选对的MOS管来提升自身音响电源的产品力？

国产MOS管的回收价值取决于其型号、规格、状态以及市场需求等因素1。 回收机构通常会根据市场行情和供求关系来确定回收价格1。 环保与合规： 回收国产MOS管有助于减少电子废弃物的数量，降低对环境的污染5。 回收过程应确保符合当地的环保法规和标准，防止有害物质泄漏或不当处理5。 注意事项： 在选择回收机构时，请务必选择正规、有资质的回收公司，以确保回收过程的合法性和安全性5。 客户应了解市场行情和回收价格，以便与回收机构进

锐骏半导体代理商/现货商-深圳市芯美力科技有限公司 沟槽MOS管、超结MOSFET、N-Mosfet场效应管、高性能先进的沟槽MOSFET、P-Mosfet场效应管 广泛应用于各类高效大功率电源、 电机控制、 光伏、 新能源、各类LED显示、 LCD触控及各类MCU控制应用等领域。 型号: RU16P4M4、RU16P8M4、RU20P7C、RU20P7C6、RU20P17M2、RU20P4C、RU20P3B、RU20P4C6、RU20P18L、RU30P4C、RU30P4B、RU30P3B、RU30P4C6、RU30S4H、RU30S5H、RU30S15H、RU30P4H、RU30P5H、RU30P5D、RU30L15H、RU30L18H、RU30L30M、RU30L40M2、RU30L70L、RU30C8H

如何确保自身产品链的稳定性？今天针对高频逆变器选择国产MOS管：FHP230N06V的实际应用场景与优势进行专业解析。

在低压工频逆变器设计中，MOS管的选型直接影响系统效率与可靠性。

回收三极管库存呆料是一个涉及电子废弃物管理和资源循环利用的重要过程。以下是一些关于如何有效回收三极管库存呆料的关键步骤和考虑因素： 1. 收集与分类 收集渠道：从制造商、分销商、维修店以及终端用户等渠道收集库存呆料。 分类管理：对收集到的三极管进行细致分类，区分不同型号、规格和状态。这有助于后续的处理和再利用。 2. 检测与评估 功能性测试：使用专业设备对三极管进行功能性和性能测试，以确定其是否仍然可用。 价值评

在电子元器件市场中，MOS管（场效应管）作为一种重要的半导体元件，广泛应用于电源管理、开关电路和信号放大等领域。然而，许多企业在生产和库存管理中，常常遭遇MOS管库存呆料的问题。这些堆积的呆料不仅占用资金成本，还影响了企业资源的有效利用。本文将从多个视角探讨如何高效地二次利用和回收MOS管库存呆料 一、什么是MOS管库存呆料 MOS管库存呆料通常是指在公司库存中，由于市场需求变化、产品更新换代或其他因素而无法及时销售的

IPB042N10N3G——100V，100A，OptiMOS™ N 通道MOSFET晶体管 型号：IPB042N10N3G 封装：TO-263-3 类型：MOSFET晶体管 IPB042N10N3G——产品属性： FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.2 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：117 nC @ 10 V Vgs（最大值）：±20V 不同 Vds 时输

在我们的电子设计工作中，场效应管的选择一直是个关键环节，选对了，整个电路性能飞升，选错了，那可就是多种麻烦事儿不断。今天就来给大家分享一款超棒的 P 沟道 MOS 管 ——HC40P59P，说不定能成为你电路设计里的得力助手！ 先说说它的基本参数，40P24 电池供电，耐压方面表现出色，可承受 - 40V、-30V 以及 - 24V 的电压，电流更是能达到 30A 甚至 60A 的大电流，在很多需要大电流驱动的电路中，它都能游刃有余。 再看它的特点，低栅极电荷可是一

IKW75N65EH5：高速 650V硬开关 IGBT TRENCHSTOP™ 5 晶体管，TO-247-3 系列：TrenchStop™ IGBT 类型：沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）：650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：90 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：300 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，75A 功率 - 最大值：395 W 开关能量：2.3mJ（导通），900µJ（关断） 输入类型：标准 栅极电荷：160 nC 25°C 时 Td（开/关）值：28ns/174ns 测试条件：400V，75A，8 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)：92 ns 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ） 安

����【探索科技，揭秘高效能MOS管HC031N06L】���� 在半导体技术的浩瀚星空中，总有一些星辰以其光芒着行业的进步。今天，就让我们一同聚焦原厂惠海推出的产品——HC031N06L场效应N通道MOS管，它以TO-252封装形式闪耀登场，为电子工程师们带来了良好的性能体验！�� HC031N06L，这款集高科技与实用性于一身的MOS管，凭借其沟槽技术，实现了RDS(ON)的良好的表现，同时保持了低栅极电荷和灵活的栅极操作特性，即便在低至10V的电压下也能游刃有

型号：IRLR2908TRLPBF-VB 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：N沟道 - 额定电压：100V - 最大连续电流：40A - 静态导通电阻（RDS(ON)）：30mΩ @ 10V, 31mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压（Vth）：1.8V - 封装类型：TO252 应用简介： IRLR2908TRLPBF-VB是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高电压和高电流性能的电子应用领域。以下是一些可能的应用领域： 1. 电源管理：这种高电压、高电流MOSFET可用于电源开关、电源逆变器、电源供应和稳压器等应用，以

����【揭秘电子元件：HG080N10L MOS管，性能与耐用性的融合！】���� 在追求高效能、低损耗的电子设计时代，每一款元件的选择都至关重要！今天，我要向大家讲解一款雾化器领域的产品——HG080N10L N通道MOS管！�� 这款15N10系列的MOS管，以其稳定的100V15A承受能力，应对从30V到80V的宽广电压范围，无论是低电压精细控制还是高电压强劲驱动，都能游刃有余。�� HG080N10L采用了SFGMOS技术，这一技术不仅带来了低的RDS（ON）——即导通电阻，意味

型号：TK35S04K3L-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - N沟道 - 额定电压：40V - 最大电流：85A - 静态导通电阻(RDS(ON))：4mΩ@10V, 5mΩ@4.5V, 20Vgs(±V) - 阈值电压(Vth)：1.85V - 封装类型：TO252 应用简介： TK35S04K3L-VB是一种高性能N沟道MOSFET晶体管，适用于多种高电压和高电流的电子设备和应用领域。以下是一些可能的应用领域： 1. 电源模块：TK35S04K3L-VB可用于电源模块，以支持高电压和高电流的应用，适用于电源开关、DC-DC变换器和逆变器设计。 2. 电机控制：该MOSFET适合用于

型号：STD2NB60T4-VB 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：N沟道 - 额定电压：650V - 额定电流：4A - 静态导通电阻（RDS(ON)）：2200mΩ @ 10V, 2750mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压（Vth）：3.5V - 封装类型：TO252 应用简介： STD2NB60T4-VB是一款N沟道场效应晶体管（FET），具有高额定电压和适中电流特性，以及相对高的导通电阻。这使其适合在电源开关和电路保护应用中使用。 应用领域： 1. 电源开关模块：STD2NB60T4-VB可用于电源开关电路，如开关稳压器、DC-DC转换器和逆变器，

型号：HUF75321D3ST-VB 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：N沟道 - 额定电压：60V - 最大持续电流：45A - 静态导通电阻 (RDS(ON))：24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压 (Vth)：1.8V - 封装：TO252 详细参数说明： HUF75321D3ST-VB 是一款 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，具有 60V 的额定电压和最大持续电流为 45A。它的 RDS(ON) 在不同电压下表现出色良好，分别为 24mΩ @ 10V 和 28mΩ @ 4.5V。此外，它的阈值电压（Vth）为 1.8V。 应用简介： HUF75321D3ST-VB 是一

型号: AP4409AGEM-VB 品牌: VBsemi 参数: P沟道, -30V, -11A, RDS(ON) 11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V); -1.5Vth (V) 封装: SOP8 详细参数说明和应用简介： 1. 沟道类型：P沟道 - 这表示这是一种P沟道MOSFET，通常用于需要控制负电压电源的应用。 2. 额定电压 (VDS)：-30V - 这是沟道MOSFET能够承受的最大负电压，表示它适用于需要处理高达-30V的电路。 3. 额定电流 (ID)：-11A - 这是沟道MOSFET的额定电流，表示它可以处理的最大负电流负载。 4. 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON))： - RDS(ON)是沟

【电子世界的 “小钢炮”——HC1017P MOS 管】 嘿，各位电子爱好者和工程师朋友们！今天要给大家介绍一款低内阻 高性价比的电子元件 ——HC1017P N - 通道 MOS 管，它就像是电子世界里的一颗璀璨明星，在植物灯等应用中大放异彩哦！ 你看，它身材小巧，采用 SOT89-3 小体积封装，蕴含着巨大的能量。别看它小，本事可不小，耐压高达 100V，电流能达到 12A，这就像是一个小小的大力士，能够应对多种高电压、大电流的工作环境，为植物灯提供稳定而高转

型号：DMN3404L-7-F-VB 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：N沟道 - 额定电压：30V - 最大连续电流：6.5A - 静态导通电阻（RDS(ON)）：30mΩ @ 10V, 33mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压（Vth）：1.2~2.2V - 封装类型：SOT23 应用简介： DMN3404L-7-F-VB是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于低电压、低功率应用以及需要高效能耗控制的电路。以下是一些可能的应用领域： 1. 低电压电源管理：DMN3404L-7-F-VB可用于低电压电源管理，如便携式设备、手机、平板电脑和

型号：IRF530NS-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - N沟道 - 额定电压：100V - 最大电流：20A - 静态导通电阻(RDS(ON))：100mΩ@10V, 106mΩ@4.5V, 20Vgs(±V) - 阈值电压(Vth)：1.7V - 封装类型：TO263 应用简介： IRF530NS-VB是一种N沟道MOSFET晶体管，适用于各种高电压和高电流的电子设备和应用领域。以下是一些可能的应用领域： 1. 电源模块：IRF530NS-VB可用于高功率电源模块，以支持高电压和高电流的应用，适用于电源开关、DC-DC变换器和逆变器设计。 2. 电机控制：该MOSFET适合用于电

型号：FQD13N10L-VB 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：N沟道 - 额定电压：100V - 额定电流：18A - 静态导通电阻（RDS(ON)）：115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压（Vth）：1.6V - 封装类型：TO252 应用简介： FQD13N10L-VB是一款N沟道场效应晶体管（FET），具有高额定电压和电流特性，以及相对低的导通电阻。这使其适合在高功率电子应用中使用，以有效地控制电流和电压。 应用领域： 1. 电源开关模块：FQD13N10L-VB可用于电源开关电路，如开关稳压器、DC-DC转换器

MOS管的工作原理是基于在P型半导体与N型半导体之间形成的PN结，通过改变栅极电压来调整沟道内载流子的数量，从而改变沟道电阻和源极与漏极之间的电流大小。由于MOS管具有输入电阻高、噪声小、功耗低等优点，它们在大规模和超大规模集成电路中得到了大范围应用。MOS管，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET），是一种在电子领域中至关重要的半导体器件。 主营种类： 1.PMOS（P型MOS管）：PMOS管是指栅极（G）的材料是P型半导体，多数载流子

型号：ST2319SRG-VB 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：P沟道 - 额定电压：-30V - 最大持续电流：-5.6A - 静态导通电阻 (RDS(ON))：47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压 (Vth)：-1V - 封装：SOT23 详细参数说明： ST2319SRG-VB 是一款 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，具有-30V 的额定电压和最大持续电流为-5.6A。它的 RDS(ON) 在不同电压下表现出色良好，分别为 47mΩ @ 10V 和 56mΩ @ 4.5V。此外，它的阈值电压（Vth）为-1V。 应用简介： ST2319SRG-VB 通常用于电

电源管理的强“守护者”：HCD006P03L PMOS 管登场 在纷繁复杂的电子电路世界里，一颗靠谱的 PMOS 管，犹如一位默默坚守的卫士，守护着整个系统的稳定运行。今天，要向大家介绍的 HCD006P03L——60P03 防反接 / 防盗器 PMOS 管，便是这样一位实力非凡的 “守护者”。 HCD006P03L 有着令人瞩目的参数规格，30V 的耐压与 60A 的电流处理能力，赋予它在高功率场景下挑大梁的资本。面对复杂多变的用电环境，它能从容不迫地应对大电流的冲击，保障设备持续稳定工

型号：CES2331-VB 品牌：VBsemi 参数： - P沟道 MOSFET - 额定电压：-30V - 最大持续电流：-5.6A - 静态导通电阻 (RDS(ON))：47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V - 门源极电压 (Vgs)：最大±20V - 阈值电压 (Vth)：-1V 封装：SOT23 详细参数说明： CES2331-VB是一款P沟道MOSFET，专为低电压、中电流应用而设计。它的额定电压为-30V，可以持续承受最大-5.6A的电流。该MOSFET具有良好的导通特性，其静态导通电阻在10V电压下为47mΩ，而在4.5V电压下为56mΩ。这使其适用于需要中等功率的应用。 CES2331-VB

型号：F3205S-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - 沟道类型：N沟道 - 额定电压：60V - 最大电流：150A - 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：4mΩ@10V - 门源极电压（±Vgs）：20V - 门源极阈值电压（Vth）：3V - 封装类型：TO263 应用简介： F3205S-VB是一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有高电压承受能力和高电流承受能力，以及极低的漏极-源极电阻。这些特性使其在要求高电流承受和低电阻的电子领域的模块中得到广泛应用。 应用领域： 1. 电源模块

型号：FDN338P-NL-VB 品牌：VBsemi 参数： - P沟道 - 最大耐压：-20V - 最大电流：-4A - 静态导通电阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V, 12Vgs (±V) - 阈值电压：-0.81V - 封装：SOT23 **详细参数说明：** FDN338P-NL-VB是一款P沟道MOSFET，最大耐压为-20V，最大电流为-4A。其静态导通电阻在不同电压下表现如下：在4.5V下为57mΩ，在2.5V下为83mΩ，驱动电压范围为±12V。阈值电压为-0.81V。该器件采用SOT23封装，适合在有限空间内使用。 **应用简介：** FDN338P-NL-VB适用于多种领域的模块，包括但

型号：MRF300AN（MRF300BN） 封装：TO-247-3 类型：LDMOS宽带射频功率晶体管 MRF300 是50V，300W连续波，LDMOS宽带射频功率晶体管，适用于HF和VHF通信，工业、科学和医疗(ISM)以及广播应用。 MRF300AN - 产品规格： 技术：LDMOS 频率：27MHz ~ 250MHz 增益：28dB 电压 - 测试：50 V 功率 - 输出：300W 安装类型：通孔 封装/外壳：TO-247-3 星际金华，明佳达供应，回收MRF300AN（MRF300BN）LDMOS宽带射频功率晶体管。 MRF300BN - 产品规格： 技术：LDMOS 频率：1.8MHz ~ 250MHz 增益：18.7dB 电压 -

型号：PMV48XP-VB 品牌：VBsemi 参数：P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；-0.81Vth(V)；SOT23 封装：SOT23 详细参数说明： - 型号：PMV48XP-VB - 丝印：VB2290 - 品牌：VBsemi - 沟道类型：P沟道 - 最大耐压：-20V - 最大电流：-4A - 静态导通电阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V - 门源极电压：12Vgs (±V) - 阈值电压：-0.81V 应用简介： PMV48XP-VB是一款P沟道MOSFET，适用于多种电子模块和应用，特别是在需要低电流开关和低导通电阻的情况下。 应用领域： 这种产品通常用在以下领

MOSFET是逆变模块中不可或缺的核心元件。它能直接影响逆变器的效率、响应速度、热管理和整体可靠性。因此对于逆变模块的MOS管选型使用就显得尤为重要。 市场中有哪些MOS管是常用于逆变模块的呢

型号：IPD90P04P4L-04-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - 类型：P沟道 - 额定电压：-40V - 最大电流：-110A - 静态导通电阻（RDS(ON)）：4.8mΩ @ 10V, 6mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压（Vth）：-2V - 封装类型：TO252 应用简介： IPD90P04P4L-04-VB是一款P沟道功率MOSFET，适用于多种领域模块，具有以下应用潜力： 1. 电源管理模块：这款MOSFET的额定电压和极低的导通电阻使其非常适合电源开关、电源调节和稳压模块，以提供高效的电源管理。 2. 电机驱动：在电机控制和驱动应用中，I

型号：AO4443-VB 品牌：VBsemi 参数： - P沟道 MOSFET - 额定电压：-40V - 最大持续电流：-11A - 静态导通电阻 (RDS(ON))：13mΩ @ 10V, 17mΩ @ 4.5V - 门源极电压 (Vgs)：最大±20V - 阈值电压 (Vth)：-1.7V 封装：SOP8 详细参数说明： AO4443-VB是一款P沟道MOSFET，专为低电压、高电流应用而设计。它的额定电压为-40V，可以持续承受高达-11A的电流。该MOSFET具有卓越的导通特性，其静态导通电阻在10V电压下为13mΩ，而在4.5V电压下为17mΩ。这低的电阻有助于减小功耗和热量，使其适用于