受惠智能型手机的内存容量扩增，加上中国西安市南一变电站突发爆炸事件，导致市场出现内存供不应求的预期紧张心理，原本吃紧的NAND Flash喊涨声群起，供给过剩的DRAM预期也将改善。
6月18日凌晨中国西安市南一变电站爆炸，致使三星西安厂出现短暂停电，三星西安厂月产能规模约10万片，全数为先进的3D-NAND Flash，主要应用固态硬盘，这次停电估对三星NAND Flash受损晶圆片数约1万片以内，此缺口虽透过增加投片及缩短部分制程可以弥补，但恐将加深市场对第3季NAND Flash供不应求的预期心理，将带动价格持续走扬。
最新报价显示，第3季NAND Flash供货吃紧的态势越发明显，TLC（三层式储存）的NAND Flash晶圆与现货卡片价格已连续3个月走扬，近1个月涨幅开始增加。
第4季市况将看苹果新一代iPhone与其他品牌智能型手机新品上市后的销售力道而定。
内存模组大厂威刚董事长陈立白认为，苹果iPhone 7新增加256G的闪存容量，容量倍增，供货厂商以东芝与三星为主，加上Sandisk共3家，苹果备货动作已带动需求增加。
此外SSD（固态硬盘）与传统硬盘价差拉近，使得SSD热卖且主流容量从128M变256M，预估7、8月NAND闪存将会出现缺货、价格上涨的走势。
至于DRAM供需，三星已决定减缓资本支出，供给增加有限，行动内存容量也扩增，DRAM的需求看增，市况应可在第2季落底，终结近2年半的DRAM空头市场，预期9月间整体市况趋向乐观。