紫光集团将与武汉新芯连手共同发展存储器的项目，紫光集团将在武汉成立长江存储科技有限责任公司，未来武汉新芯将并入此公司，由紫光集团赵伟国先生担任新公司的董事长，未来也将由长江存储科技统筹一切储存器发展的项目，将能够有效整合紫光集团与武汉新芯的资源发挥更大的综效，目前整体规划将朝向NAND Flash产业发展。
集邦科技研究协理杨文得表示，从NAND Flash产业的角度来看，过去2011-2016年NAND Flash位需求成长量的年复合成长率高达47%，而受惠3D-NAND Flash的制程转进加速，SSD的价格开始滑落到厂商的甜蜜点，SSD在笔记本电脑的渗透率在2018年全年度将超逾50%，而服务器/数据中心等级的固态硬盘也将以每年20%的成长率快速增长，因此在SSD的带动下，NAND Flash的需求量可望在未来10年内维持强劲的成长态势。
武汉新芯在NAND Flash的布局为现阶段中国存储器业者中领先的厂商，在研发技术上与飞索半导体合作开发3D-NAND Flash的技术，在去年完成芯片初期电气测试后持续往32层堆栈的初期量产目标，今年三月也宣布在国家IC大基金的支持下开始新厂动工，新3D-NAND Flash工厂的月满载产能预期为20万片，预期在2018年上半年可实现量产目标，而武汉新芯过去以来也为NOR Flash的生产大厂，因此在存储器产品的生产经验、厂房与产能建置等基础建设有一定的经验。
而紫光集团则是在资金募集以及策略并购等项目均有过人之处，因此两间公司携手，从中国整体存储器产业投资的面相来看，整体投资的资源分配上能够更集中，并且在整合上能产生更多综效，对内能够对于未来中国存储器产业的发展能够瞄准较佳的地位，对外则能够有效提升产业上谈判的筹码，对于挑战性极高的存储器产业来说，长期而言对于中国建立产业自主性的布局来说将有所帮助，后续值得关注。
而从NAND Flash业者的竞争态势来分析，三星除了在西安厂的投资外，韩国平泽厂区也有规划新的3D-NAND Flash产能。
东芝与WD公司(SanDisk)在日本Fab2厂的产能持续增加，在现有Fab5厂房旁规划的新厂也可望预期自2018年下半年开始投产最新制程的3D-NAND。
SK海力士则是除了现阶段的M11与M12厂外，未来M14厂第二阶段3D-NAND的生产也将从明年第一季后开始进行.
而美光现阶段除了新加坡Fab10X的扩建外，并未有新厂的规划，再加上3D-NAND Flash的厂房新建与机台设备的投资远高于2D-NAND Flash的数倍之多，因此若能与武汉新芯与紫光集团比照“华亚科”模式(美光提供生产技术，合作方提供资金与生产产能)开启合作，则除了可以较低的财务负担来获取未来长期新产能的布建外，也有机会在市占率拉近与三星和东芝/WD阵营的距离。