一氧化氮的电子式图
氮化硅陶瓷硬度1500~1900Hv。
氮化硅高温氧化受温度和氧分压影响根据氧分压的不同,可分为惰性氧化(PassiveOxida-tion)和活性氧化(ActiveOxidation)两类惰性氧化生成SiO2,试样质量增加;活性氧化生成SiO气体,试样质量减小 Si3N4(s)+3O2(g)=3SiO2(s)+2N2(g)(1) Si3N4(s)+5O2(g)=3SiO2(s)+4NO(g)(2)Si3N4(s)+3/2O2(g)=3SiO(g)+2N2(g)(3)惰性氧化按(1)(2)方程式进行,活性氧化按方程式(3)进行有学者通过实验证明,氮化硅高温氧化,在SiO2层与基材料之间存在Si2N2O层。
陶瓷配件，找老郭：前面三位182，中间5847，最后5005
氮化硅陶瓷硬度1500~1900Hv。
氮化硅高温氧化受温度和氧分压影响根据氧分压的不同,可分为惰性氧化(PassiveOxida-tion)和活性氧化(ActiveOxidation)两类惰性氧化生成SiO2,试样质量增加;活性氧化生成SiO气体,试样质量减小 Si3N4(s)+3O2(g)=3SiO2(s)+2N2(g)(1) Si3N4(s)+5O2(g)=3SiO2(s)+4NO(g)(2)Si3N4(s)+3/2O2(g)=3SiO(g)+2N2(g)(3)惰性氧化按(1)(2)方程式进行,活性氧化按方程式(3)进行有学者通过实验证明,氮化硅高温氧化,在SiO2层与基材料之间存在Si2N2O层。
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