原理不一样 mlc直接写入 tlc还需要翻译一下

你怎么不问问神奇海螺呢（百度一下）

主控读写模式不同

颗粒本身不同

颗粒本身不同，slc，mlc，tlc，qlc，plc分别极限能力可以记录1，2，3，4，5bit数据，颗粒可以向下兼容不能向上兼容，比如常见的用tlc颗粒模拟slc写入就是向下兼容，让tlc颗粒只记录1bit数据来牺牲寿命提高速度

Tlc够了用坏机子也差不多该换了吧

颗粒内部有电荷时，根据电量在不同电压下能导通，因此有一点像电压表，slc、mlc状态更少而已，实际上原理是一样的。写入会消耗寿命，qlc、tlc寿命短是一是因为写入次数多，二是电位分级越多，每级范围越小，在一样的误差时，数据出错概率更大。

NAND的驱动电路不同

寿命的定义指断电一定时间后配合主控的纠错算法能读出来数据时的写入量
主控和驱动电路定义的bit越多电压界限越容易模糊自然对主控纠错能力要求就越高

你好师傅能不能留个微信像你请教一下cad