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如果包围能带简并点的费米面具有非零的陈数,则该简并点具有手性

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NMOS开启时,栅绝缘层附近的半导体薄层内本征费米能级Efi在电场影响下低于Ef,电子反型层组成沟道连通源漏极。


1楼2021-08-16 17:04回复
    我的吧主被拿掉了


    2楼2021-08-16 17:05
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      NS明星大乱斗里卡比真好用,想吃谁吃谁


      3楼2021-08-16 17:06
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