JANTXV2N6849是一种N沟道功率MOSFET晶体管，由Microsemi Corporation制造。以下是JANTXV2N6849的详细参数：
最大漏极电压：200V
最大漏极电流：12A
最大功率：200W
封装类型：TO-254AA
工作温度范围：-55°C至150°C
内置保护功能：过电压保护、过温度保护
JANTXV2N6849是一种高性能、高可靠性的功率MOSFET晶体管，适用于需要高功率输出和抗干扰能力的应用，如电源、电机驱动、工业控制系统等。它具有高电压、高电流、低导通电阻和内置保护功能，可以满足各种应用要求。
