IKW40N65ES5：IGBT 沟道 650V 79A 230W 通孔
型号：IKW40N65ES5
封装：TO-247-3
类型：IGBT晶体管
IKW40N65ES5 是650V，79A 硬开关 TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT晶体管，采用 TO247 封装，适合开关频率在 10 kHz 到 40 kHz 之间的应用。
产品属性：
IGBT 类型：沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：79 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，40A
功率 - 最大值：230 W
开关能量：860µJ（开），400µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：95 nC
25°C 时 Td（开/关）值：19ns/130ns
反向恢复时间 (trr)：73 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
星际金华，明佳达供应，回收IKW40N65ES5，IKW75N60TFKSA1。
IKW75N60TFKSA1：IGBT 沟槽型场截止 600V 80A 428W 通孔
型号：IKW75N60TFKSA1
封装：TO-247-3
类型：IGBT晶体管
IKW75N60TFKSA1 IGBT晶体管，采用 TRENCHSTOP™ 和 Fieldstop 技术，带有软快速恢复反并联发射极可控 HE 二极管。
产品属性：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：225 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，75A
功率 - 最大值：428 W
开关能量：4.5mJ
输入类型：标准
栅极电荷：470 nC
25°C 时 Td（开/关）值：33ns/330ns
反向恢复时间 (trr)：121 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3