Classwiz X成功通过ROP修改ROM

相关SFR：
FLASHA F0E0H
-FLASHAL F0E0H
-FLASHAH F0E1H
FLASHD F0E2H
-FLASHDL F0E2H
-FLASHDH F0E3H
FLASHCON F0E4H
FLASHACP F0E5H
FLASHSEG F0E6H

刚在dc上看到了，VPP是不是需要加5v？

需要先在VCC加3V电压，VPP可能需要7V以上电压（我这里只加了5V，所以擦除不完全）

操作方法：
1.在FLASHACP（F0E5H）依次写入0xFA和0xF5解锁操作
2.通过FLASHSEG（F0E6H）和FLASHA（F0E0H, F0E1H）设置地址
3.若要进行擦除操作，写入FLASHCON.0进行block erase或写入FLASHCON.1进行sector erase
若要写入则须先写入FLASHDL(F0E2H)再写入FLASHDH(F0E3H)，每次重写2字节
完成一次擦除/写入操作后需要重新解锁
注：以上操作来自于用户手册描述，在计算器上目前只测试过block erase。每个segment应该包含4个block（seg0有可能不同），在进行擦除操作时需通过FLASHA及FLASHSEG指定操作目标

lz到底是什么人

不可发送单个标点符号

真是天天都有惊喜啊... 以后可能再也不会有这么令人激动的一周了

写入成功！
可以0成本刷机了

说明：
1.进行擦除操作后FLASH的内容不稳定是正常现象，昨天5v下进行擦除测试后sum值不断变化实际上并不是擦除不完全导致的
2.写入测试是在VPP 6.5v下完成的，但是目前不确定5v及以下是否可行
3.FLASH需要先擦除才能写入，可以进行sector erase与block erase两种操作，目前还未测试sector erase可擦除的区域大小

打卡留影

实测VPP加5v也可以成功写入