明佳达电子收购Qorvo半导体 QPM5811SR 0.5W GaAs MMIC前端模块，收购射频前端，收购工厂库存电子元件
描述：
Qorvo QPM5811 0.5W GaAs（砷化镓）MMIC前端模块 (FEM) 优化用于频率范围为8.5GHz至10.5GHz的X波段雷达应用。QPM5811在单一封装中集成了发射/接收开关、低噪声放大器和功率放大器。其接收路径提供26dB增益，低噪声系数为2.0dB。其发射路径提供30dB小信号增益。该器件可提供0.5W饱和功率，45%功率附加效率 (PAE) 以及23.5dB大信号增益。
Qorvo QPM5811前端模块采用6.0mm x 6.0mm表面贴装QFN封装，包覆成型封装，具有高导热性芯片连接工艺。该封装让器件在高温环境中能够保持出色的性能。它尺寸紧凑，可满足X波段相控阵雷达应用所需的紧密晶格间距要求。
特性：
工作频率范围：3.4GHz至3.8GHz
工作漏极电压：+48V
50Ω输入和输出
集成Doherty末级
线性增益：30.0dB
功率附加效率：
峰值输出功率：47.5dBm
8.0mm x 10.0mm SMT封装
应用：
WCDMA/LTE
微蜂窝基站
微蜂窝基站
小型蜂窝
有源天线
一般用途产品
5G m-MIMO无线基础设施
基于TDD的架构
长期收购Qorvo半导体产品：
QM42639SR
QM42500SR
QPB9380
QM45500SR
QPA9909SR
QPA3810SR
QPM5811SR
QPF7250SR
QPF4526SR
QPA9901SR
QPA4605SR
QPF4291TR13
QPF4288ATR13
QPF4591TR13
QPA9942TR13
QPA9122MTR7
描述：
Qorvo QPM5811 0.5W GaAs（砷化镓）MMIC前端模块 (FEM) 优化用于频率范围为8.5GHz至10.5GHz的X波段雷达应用。QPM5811在单一封装中集成了发射/接收开关、低噪声放大器和功率放大器。其接收路径提供26dB增益，低噪声系数为2.0dB。其发射路径提供30dB小信号增益。该器件可提供0.5W饱和功率，45%功率附加效率 (PAE) 以及23.5dB大信号增益。
Qorvo QPM5811前端模块采用6.0mm x 6.0mm表面贴装QFN封装，包覆成型封装，具有高导热性芯片连接工艺。该封装让器件在高温环境中能够保持出色的性能。它尺寸紧凑，可满足X波段相控阵雷达应用所需的紧密晶格间距要求。
特性：
工作频率范围：3.4GHz至3.8GHz
工作漏极电压：+48V
50Ω输入和输出
集成Doherty末级
线性增益：30.0dB
功率附加效率：
峰值输出功率：47.5dBm
8.0mm x 10.0mm SMT封装
应用：
WCDMA/LTE
微蜂窝基站
微蜂窝基站
小型蜂窝
有源天线
一般用途产品
5G m-MIMO无线基础设施
基于TDD的架构
长期收购Qorvo半导体产品：
QM42639SR
QM42500SR
QPB9380
QM45500SR
QPA9909SR
QPA3810SR
QPM5811SR
QPF7250SR
QPF4526SR
QPA9901SR
QPA4605SR
QPF4291TR13
QPF4288ATR13
QPF4591TR13
QPA9942TR13
QPA9122MTR7
