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9000系x3d那片缓存Die是重新设计流片的吗?

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如图所示,从Zen3到Zen4,x3d缓存是复用同一颗的,而且它们都是叠放在CCD上方的。由于积热问题,它们都被AMD官方限制在较为低的主频内。
而这代9000系的x3d,是叠放在CCD下方的,而作为发热大头的CCD本身在上方可以与顶盖接触散走热量。所以这次官方也是大胆把它的频率拉高到前所未有的水平。
既然x3d缓存叠在基板和CCD之间,就意味着它双面都得做接口。
那么问题来了,如果那片X3D还是原先的那一片(PS:容量跟前代是一样的),那它就是从一开始就做了双面接口的,那它为什么不从一开始就叠在CCD下方,而要忍受两代的积热?
如果那片缓存是重新设计流片的,那是用的什么制程工艺,下代是否会继续用并维持叠在下方的方式?


IP属地:广东1楼2024-11-01 12:00回复
    @SEPEUWMJH


    IP属地:广东2楼2024-11-01 12:05
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      没有实物大家都很难说是不是这方面还是得更专业的来


      IP属地:福建来自Android客户端3楼2024-11-01 12:08
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        贴吧里有哪个能回答你这未卜先知的问题,那就真是神了


        IP属地:湖南来自iPhone客户端4楼2024-11-01 12:10
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          我觉得还是原来那个,缓存叠加用的硅穿孔技术,那么上下应该都可以。之前没用估计是封装问题吧。然后两边空白的填充物也要用硅穿孔来连核心的电路,在上面就不需要走核心的电路了。


          IP属地:江苏来自手机贴吧5楼2024-11-01 12:21
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            我可以找design的组去聊聊,但是我无法再回来回复你


            IP属地:江苏来自Android客户端6楼2024-11-01 12:22
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              cpu层底下要走线吧 而且cpu层设计得可能更早 只能后续改了吧


              IP属地:河北来自iPhone客户端7楼2024-11-01 12:33
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                我看到及格实验室也说过缓存重新设计的话


                IP属地:四川来自Android客户端8楼2024-11-01 13:12
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                  上下都堆叠


                  IP属地:四川来自iPhone客户端9楼2024-11-01 13:20
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                    这么感兴趣自己买一颗开个盖给大伙看看


                    IP属地:北京来自Android客户端10楼2024-11-01 14:29
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                      这不显然是重新设计,单面接口


                      IP属地:上海来自Android客户端11楼2024-11-01 14:38
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                        应该是重新流片,之前不用就流片直接叠上去简单很多,这个换过来就重新设计了


                        IP属地:广东来自Android客户端12楼2024-11-01 15:11
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                          这很明显新的3d高速缓存芯片是重新设计的


                          IP属地:山东来自Android客户端13楼2024-11-01 16:12
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                            准确来说X3D已经自成一变种系列了,和现有ZEN5的架构和封装又有点不一样了,最最最重要的一点是电压调节器单独封装成行,这是提前全面为后系列的大小核建立相应的电压配套体系做好准备了


                            IP属地:四川14楼2024-11-01 16:49
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                              之前铭瑄的CPU支持列表里,9800X3D显示为C0步进,其他锐龙9000系列是B0步进,不知有没有玩家到货后用CPU-Z这些检测一下。


                              IP属地:安徽来自Android客户端15楼2024-11-01 17:18
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