（先叠个buff，本人不是大神，只为交流自己的调试经验，有不对的地方欢迎指正。）
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CPU：AMD ZEN4 7950X
主板：微星B650M迫击炮WiFi
内存：金百达星刃 48G*2 6400 C32
BIOS：AGESA 1.2.0.2（微星10月15发布的）
Part1：先晒图（温度墙锁了85℃）





Part2：PBO2调试
PBO2的核心逻辑应该就是降压超频，大家遇到最多的问题应该也就是低负载死机，目前我通过curve shaper（以下简称CS）完美的解决了这个问题。关于CS的解读，可以参考大神的帖子。
简单讲解外国大神研究出来的Zen 5 CurveShaper玩法 - 电脑讨论(新) - Chiphell - 分享与交流用户体验
简单讲下我的PBO2设置。
1，PBO Limit→禁止
2，PBO scalar ctrl→auto
3，CPU boost clock override→negative →50（实测比默认状态单核睿频下降70MHz，但是电压从1.41降到了1.3）
4，platform thermal throttle limit→85
5，curve optimizer→all core→negative→35
6，curve shaper
high frequency-medtemperature→enable→positive→30
max frequency-medtemperature→enable→positive→30
CS中调节正压就是为了防止低负载蓝屏死机，低负载下金银核心容易冲击高频，负压多了就容易死机。这两个设置就是为了让CPU冲击单核睿频的时候不会因为电压不够宕机。且因为调节的是中温下的电压，全核心满载的时候电压温度基本趋近于功耗墙，因此这个加压的操作对全核满载基本不生效，不用担心会影响满载下的频率核电压。
至于为什么CS中加压30，因为我这颗U全核心-10都稳不太住，偶尔低负载下会死机。如果你的U体质好，不调CS的情况下就能全核-20，那在CO全核-35的情况下，只需要在CS中加压15左右就行。
CO -35并不是我这颗U的极限，实测-40~-50也很稳定，不过负压太多，内存那边会出问题。
再叠个buff，以上设置只针对我的板U，请酌情参考。
Part3：内存调试
内存超频属实太麻烦了，本人也是新手，懂得太少，有时候稳定性测试5-6小时都没问题，但是实际使用过程中还是偶尔会死机。
内存是金百达星刃48G*2 6400 C32的套条。
直接开启EXPO 6400会分频，手动设置MCLK=UCLK，内存稳定性测试秒死机。试过把FLCK降到2000、1900，还是会死机，可能双面Mdie的条子就是难超吧。
EXPO 6200可以跑在同频，时序可以压到C30，FCLK 2133也可以过测，不过还是担心不稳，直接降到了6000，FCLK 2000。内存效能也没差太多。
以下是内存设置
EXPO→enable→6000
memory high efficiency mode→tighter（我的是海力士Mdie，如果是海力士Adie可以选择tightest）
CPU SOC→1.23（默认给的1.3V，降到了1.23，好像这个电压会影响FLCK和IMC，不是越高越好也不是越低越好，属实不太懂）
其他设置全部auto。
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以上内容仅为本人的调试经验，有不对的地方请各位在评论区指正，阴阳怪气的麻烦走远点。