上次写了一篇7950X PBO2设置的帖子，在后续使用过程中出现了不稳定的情况，经过最近几天的优化，更新一下目前的设置情况。
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CPU：AMD R9 7950X
主板：微星B650M迫击炮WIFI
内存：金百达星刃48G*2 6400 C32 海力士Mdie
散热：泰坦A080 360水冷
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CPU PBO2设置（未提及到的地方均为bios auto设置）
PBO limit ：PPT=190W，TDC=160A，EDC=225A
CPU boost clock override：negative 50
curve optimizer：all core，negative，35
curve shaper：high frequency-med temperature positive 30，max frequency-med temperature positive 30
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内存设置（为提及到的地方均为bios auto设置）
EXPO enable，频率6200
FCLK频率：2067
memory high efficiency mode：enable，tighter
主时序：30 37 37 93
CPU SOC voltage：AMD over clock mode，1.26V
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以下是跑分实测图（非安全模式，后台无程序运行）
R23多核39500左右，单核2035左右，温度85℃，功耗195W，ryzenmaster显示电压1.2V，CCD0频率5.25G，CCD1频率5.2G。
R23压力测试10分钟，分数39150左右，功耗稳定195W，稳定CCD0频率5.25G，CCD1频率5.2G，温度稳定85℃。
CPU-Z多核16450左右，单核790左右。





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以下是一些设置过程中遇到的问题
1，全核负压40，会出现低负载重启，问题应该还是金银核心负压太多，curve shaper中最高只能positive 30，对低负载睿频电压的补偿有限。也试过CCD0负压35，CCD1负压40，偶尔也会出现低负载重启，懒得折腾了，全核负压35稳妥靠谱，而且全核负压40的情况下R23跑分只提升了400分左右，频率整体高了50MHz，提升不明显。
2，双面Mdie内存在这块板子上默认expo 6400会跑在分频模式，手动设置同频后跑内存压力测试秒死机，不管怎么降低FCLK都无法通过游戏加加压力测试。6200同频已经是极限。
3，CPU SOC电压很玄学，auto的时候，主板默认会给1.31V，能通过游戏加加内存压力测试，但是在跑HFSS仿真的时候会报错，设置成1.26V以后也可以通过压力测试，而且跑HFSS不会报错。
4，PBO2全核负压的设置过程中发现，全核负压给到40或更大的时候，内存也会变得很不稳定，蓝屏卡死的概率大大提升，如果想内存超的更多，可能要适当减小内存的负压值。（个人主观判断）
5，PBO scalar设置为4x或10X时，单核睿频能更高，在我上述的设置中，把PBO scalar由auto设置为4x或10X时，R23单核测试时睿频能到5.7G，auto时最高只能到5.67G，且单核测试时电压由1.4V提升到了1.41V，个人认为没区别，直接选择auto。
6，PBO scalar 改为10X，CPU boost clock override +200，这组设置直接无法进系统，原因和第一点应该一样，增加睿频以后需要的电压更大，负压太多稳不住。
7，CPU boost clock override -50，这个设置主要为了进一步提升低负载下的稳定性，防止低负载死机，实际测试-50并没有损失任何性能，无论是单核还是多核。
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