IMW65R010M2H：650V、46A、10mOhms、碳化硅 CoolSiC™ G2 MOSFET 晶体管，TO-247-3
型号：IMW65R010M2H
封装：TO-247-3
类型：碳化硅 CoolSiC™ G2 MOSFET 晶体管
IMW65R010M2H - 产品属性：
产品种类：碳化硅MOSFET
晶体管极性：N-通道
通道数量：1 Channel
漏源电压（Vdss）：650V
Id-连续漏极电流：46A
Rds On-漏源导通电阻：10mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压：5.6 V
Qg-栅极电荷：112 nC
Pd-功率耗散：440 W
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
星际金华，明佳达供应，回收IMW65R010M2H（IMW65R026M2H）IMW65R033M2H 碳化硅MOSFET晶体管。
IMW65R026M2H：650V、26mΩ、碳化硅 CoolSiC™ G2 MOSFET 晶体管，TO-247-3
型号：IMW65R026M2H
封装：TO-247-3
类型：碳化硅 CoolSiC™ G2 MOSFET 晶体管
IMW65R026M2H - 产品规格：
晶体管极性：N-通道
通道数量：1 Channel
漏源电压（Vdss）：650V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：46A
Rds On-漏源导通电阻：26mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压：5.6 V
Qg-栅极电荷：42 nC
Pd-功率耗散：227 W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
星际金华，明佳达【供应及回收】IMW65R010M2H（IMW65R026M2H）IMW65R033M2H 碳化硅MOSFET晶体管。
IMW65R033M2H：650V、33mΩ、194W、碳化硅 CoolSiC™ G2 MOSFET 晶体管
型号：IMW65R033M2H
封装：TO-247-3
类型：碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶体管
概述：IMW65R033M2H是一款 650V、33mΩ、194W、碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶体管，采用TO-247-3封装，便于集成和散热。
IMW65R033M2H - 产品属性：
产品种类：碳化硅MOSFET
晶体管极性：N-通道
通道数量：1 Channel
漏源电压（Vdss）：650V
Id-连续漏极电流：46A
Rds On-漏源导通电阻：33mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压：5.6 V
Qg-栅极电荷：42 nC
Pd-功率耗散：227 W
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
型号：IMW65R010M2H
封装：TO-247-3
类型：碳化硅 CoolSiC™ G2 MOSFET 晶体管
IMW65R010M2H - 产品属性：
产品种类：碳化硅MOSFET
晶体管极性：N-通道
通道数量：1 Channel
漏源电压（Vdss）：650V
Id-连续漏极电流：46A
Rds On-漏源导通电阻：10mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压：5.6 V
Qg-栅极电荷：112 nC
Pd-功率耗散：440 W
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
星际金华，明佳达供应，回收IMW65R010M2H（IMW65R026M2H）IMW65R033M2H 碳化硅MOSFET晶体管。
IMW65R026M2H：650V、26mΩ、碳化硅 CoolSiC™ G2 MOSFET 晶体管，TO-247-3
型号：IMW65R026M2H
封装：TO-247-3
类型：碳化硅 CoolSiC™ G2 MOSFET 晶体管
IMW65R026M2H - 产品规格：
晶体管极性：N-通道
通道数量：1 Channel
漏源电压（Vdss）：650V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：46A
Rds On-漏源导通电阻：26mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压：5.6 V
Qg-栅极电荷：42 nC
Pd-功率耗散：227 W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
星际金华，明佳达【供应及回收】IMW65R010M2H（IMW65R026M2H）IMW65R033M2H 碳化硅MOSFET晶体管。
IMW65R033M2H：650V、33mΩ、194W、碳化硅 CoolSiC™ G2 MOSFET 晶体管
型号：IMW65R033M2H
封装：TO-247-3
类型：碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶体管
概述：IMW65R033M2H是一款 650V、33mΩ、194W、碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶体管，采用TO-247-3封装，便于集成和散热。
IMW65R033M2H - 产品属性：
产品种类：碳化硅MOSFET
晶体管极性：N-通道
通道数量：1 Channel
漏源电压（Vdss）：650V
Id-连续漏极电流：46A
Rds On-漏源导通电阻：33mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压：5.6 V
Qg-栅极电荷：42 nC
Pd-功率耗散：227 W
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
