DUV干翻EUV？中芯N+3工艺2025年125MTr/㎜²！

一个猜测不一定对
中芯国际与三星
2019年中芯国际研发出14nm密度三四十MTr/mm²，对标三星14nm，同年，国产光刻机突破130~90nm
2021年中芯国际研发出n+1工艺，密度60多MTr/mm²，对标三星8lpp，同年，国产光刻机突破65~45nm
2023年末中芯国际研发出n+2工艺，密度96 98 100MTr/mm²，对标三星7lpp，同年，国产光刻机突破28~20nm
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猜想
2025年中芯国际研发出n+3工艺，duv光刻FinFET，密度125MTr/mm²，对标三星5lpe，同年，国产光刻机突破14~10nm
2027年国产终于半步突破euv光刻机封锁，中芯国际研发出n+4工艺，duv混合euv光刻FinFET，密度137MTr/mm²晶体管，对标三星4lpp+，同年，国产光刻机突破euv 7~5nm
2029年国产终于完全突破euv光刻机封锁，中芯国际研发出n+v工艺，euv光刻GAA，密度173MTr/mm²晶体管，对标三星3gap且良率没有任何问题，同年，完全国产光刻机high na euv突破3~2nm