BSC093N15NS5——150V，OptiMOS™ 5 N通道功率 MOSFET 晶体管，PG-TDSON-8
型号：BSC093N15NS5
封装：PG-TDSON-8
类型：功率 MOSFET 晶体管
BSC093N15NS5——产品属性：
系列：OptiMOS™
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：87A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.3 毫欧 @ 44A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.6V @ 107µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：40.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3230 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）：139W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TDSON-8-7
封装/外壳：8-PowerTDFN
【星际金华，明佳达】供应及回收 BSC093N15NS5功率 MOSFET 晶体管，MT53E2G32D4DE-046 WT:C动态随机存取存储器，TAS5753MDDCAR音频放大器。
MT53E2G32D4DE-046 WT:C——64Gbit LPDDR4 动态随机存取存储器，TFBGA-200
类型：SDRAM Mobile - LPDDR4
存储容量：64 Gbit
数据总线宽度：32 bit
最大时钟频率：2.133 GHz
封装 / 箱体：TFBGA-200
组织：2 G x 32
电源电压：1.06V ~ 1.95V
工作温度：- 25 ℃ ~ 85 ℃
星际金华，明佳达【供应且回收】BSC093N15NS5功率 MOSFET 晶体管，MT53E2G32D4DE-046 WT:C动态随机存取存储器，TAS5753MDDCAR音频放大器。
TAS5753MDDCAR——数字输入D 类音频放大器，HTSSOP-48
类型 D 类
不同负载时最大输出功率 x 通道数 -
电压 - 供电 4.5V ~ 24V
特性 消除爆音，短路和热保护
安装类型 表面贴装型
工作温度 0°C ~ 85°C（TA）
供应商器件封装 48-HTSSOP
封装/外壳 48-PowerTFSOP（0.240"，6.10mm 宽）