等离子体刻蚀（Dry Etching）

等离子体刻蚀通过高能离子和自由基的物理轰击与化学反应结合，实现对材料的定向去除。例如：
各向异性刻蚀：利用离子定向轰击特性，在硅片表面形成垂直深槽结构，满足高密度集成电路的线宽要求。
材料选择性控制：通过调整气体组分（如CF₄/O₂混合气体）实现不同材料（如SiO₂与Si）的刻蚀速率差异，保护底层结构。
先进制程应用：在5nm以下制程中，原子层刻蚀（ALE）技术通过等离子体脉冲控制实现单原子层精度去除