基于此，郭国平研究组近期与日本国立材料研究所、日本理化研究所学者合作，选择新型二维材料二硫化钼进行深入研究。他们利用一系列现代半导体工艺手段，结合氮化硼封装技术，有效减少了量子点结构中的杂质和缺陷，首次在这类材料中实现了全电学可控的双量子点结构。在极低温下，通过电极电压，实现了人造原子到人造分子的电学可控调制。
　　该研究揭示了二硫化钼这种材料中短程缺陷和自旋轨道耦合对电学输运性质的影响，深入探索了应用于半导体量子芯片的可能性，在量子电子学中具有广阔应用前景。