而更进一步的分析则会发现这个体系对于cc-pVnZ来说确实是尽力局。这里使用aug-cc-pVnZ(3,4,5,6)的CBS外推确定其CBS能量,包括Hartree Fock能量和相关能。
Hartree Fock方法使用单电子近似,完全不考虑电子相关,因此特定基组计算得到的能量与CBS能量的误差值可以视作是基组对电子密度描述能力的直接体现。可以注意到从cc-pVDZ高达8.0%的CBS误差开始,价层电子每多劈裂一次,误差就降低到原本的1/2至3/4,直到cc-pV6Z时,误差已经只剩下0.8%。同时,其与对应的aug-cc-pVnZ基组的差距也在缩小。原因如之前所言:随着价层函数劈裂数的增加,最外层的函数会逐渐具有弥散函数的性质,从而逐渐能够刻画远处的电子密度。
相关能的表现更为糟糕。上一个对甲烷做分析的帖子中,楼主提过“(T)对基组质量比S和D更敏感”,这体现在CCSD(T)/cc-pVDZ/B3LYP-D3(BJ)/def2-SVP中(T)微扰相关能高达50%的基组不完备误差,而SD只有22%。然而,如果基组的完备程度连Hartree Fock级别的计算都满足不了,那么S和D的计算结果也会变得极其离谱。可以看出,FCI/cc-pVDZ的基组不完备误差达到了惊人的47%,一路把价层函数数量劈裂到6,这个误差也只能缩小到9.1%。作为对比,FCI/aug-cc-pVDZ的误差只有6%,基组大小可以说只有cc-pV6Z的零头,然而就因为这层弥散函数,它就是能在Hartree Fock能量和交换能上双杀cc-pV6Z。而如果为cc-pV6Z加上标准的一层弥散到aug-cc-pV6Z(注:cc-pVnZ系列基组其实可以加两层弥散函数变成d-aug-cc-pVnZ,但极少有基态计算要加两层弥散函数,极其浪费),误差会从9%直接砸到0.19%,精度直接提高近50倍。
可见,正确刻画电子密度的优先级应当被排在能充分刻画电子关联之前,毕竟你怎么能指望方法高精度的post Hartree Fock会对着错误的电子密度输出正确的能量呢,你以为是DFT想怎么拟合就怎么拟合啊(笑

